6月最后一天，三星宣布3月3日nm工艺正式量产，上海联想维修部这次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺，而且是弯道超车，后者3nm今年下半年将量产。

根据三星官方介绍，在3nm在芯片上，它放弃了以前的芯片FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构大大提高了芯片的功耗性能。

与5nm与新开发的3相比nmGAE该工艺可降低功耗45%，上海联想维修部面积16%，性能23%。

第二代的3nmGAP工艺可降低50%的功耗，提高30%的性能，同时减少35%的面积，效果更好。

未来呢?三星也有计划，3星也有计划，3星也有计划，3nmGAP过程结束后将迎来2nmGAP工艺也是基于纳米片技术的GAA晶体管，但结构进一步优化，从3纳米片到4纳米片，可提高驱动电流，优化堆叠结构，提高性能，降低功耗。

2nmGAP工艺量产时间也确定了，上海联想维修部预计2025年量产，时间点与台积电量产22nm工艺相似，很可能在技术上领先后者，因为台积电2nm该工艺在晶体管密度上挤压牙膏，提高只有10%。

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