12月22日，昆明联想电脑维修地址中国集成电路设计行业2021年会暨无锡集成电路行业创新发展高峰论坛(ICCAD2021)举行。

据媒体报道，台积电南京公司总经理罗镇球在会上表示，台积电将于明年3月推出5nm汽车电子工艺平台，汽车工艺产品将符合所有汽车安全规则。

同时，他还透露，台积电将在2nm节点推出Nanoshet/Nanowire晶体管架构，并采用新材料。

罗镇球最后表示，昆明联想电脑维修地址台积电从今年开始大幅增加资本支出，2021-2023年，将在扩产的基础上投资1000多亿美元。

Nanoshet/Nanowire晶体管应取代FinFET(鳍式场效应晶体管)，不同于三星在3nm上直接上马GAA(围绕栅极晶体管)，台积电3nm(至少第一代)继续FinFET。

数据显示，FinFET(又称3D晶体管)是中国教授胡正明于1999年发明的。他出生在北京豆芽胡同，曾任台积电首席技术官。FinFET第一代由Intel在2012年22nm节点量产。当时台积电和三星还停留在28nm技术上。

胡教授发明的FinFET和FD-SOI，昆明联想电脑维修地址胡教授发明的FinFET和FD-SOI技术才能使三星/台积电的14nm/16nm延续摩尔定律的传奇。

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