在先进的芯片技术方面，美国制造商也落后于台积电和三星。常州戴尔专修点这两家公司大规模生产或将大规模生产7家公司nm，5nm及3nm然而，美国也有更多的计划，不必在先进技术上超越他们，甚至准备逆行，复生90nm工艺，芯片性能为7nm芯片的50倍。
美国芯片加工SkyWater最近，美国国防部长下属的公告被公布DARPA后者将给予2700万美元以促进900万美元的发展nm战略防辐射(RH90)FDSOI技术平台，总体投资计划1.7亿美金。
与台积电相比，常州戴尔专修点三星，Intel等半导体公司，SkyWater2017年成立，芯片加工的关键来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造单位，技术不先进，关键生产130nm及90nm，部分先进芯片直到65nm级别。
然而，他们得到了美国DARPA青睐，成立不久就开始参与后者ERI电子振兴计划在五年内投资15亿美元，促进美国半导体产业的发展。
ERI计划中，SkyWater不是追求更强但更昂贵的先进技术，而是使用90nm工艺制造3DSoC芯片，根据集成电阻RAM，纳米碳管等材料性能更强，性能可达7nm芯片的50倍。
自然，常州戴尔专修点这些技术还没有完全突破，毕竟，这种做法以前没有，一旦成功，可能是改变半导体行业标准的新技术。
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